應用于PECVD等離子增強化學氣相沉積

PECVD的原理與應用：

PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).

實驗機理：是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。

優點：基本溫度低；沉積速率快；成膜質量好，針孔較少，不易龜裂

在PECVD工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子，就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態容易發生反應。襯底溫度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，可以作為集成電路最后的鈍化保護層，提高集成電路的可靠性

PECVD種類：

一種最簡單的電感耦合產生等離子體的PECVD裝置，可以在實驗室中使用。因為負載是電感線圈所以這類負載也稱感性負載。

一種平行板結構裝置。襯底放在具有溫控裝置的下面平板上，壓強通常保持在133Pa左右，射頻電壓加在上下平行板之間，于是在上下平板間就會出現電容耦合式的氣體放電，并產生等離子體。

K-mate 系列射頻電源及自動匹配器為國內多家知名企業與高校如中科院，合肥科晶等單位保持長期射頻電源及自動匹配器供應。在電感耦合管式爐，與平行板等PECVD設備上針對線圈負載與容性負載。配上對應的不同阻抗網絡的射頻自動匹配器。能夠迅速調整匹配起輝放電。且能長時間穩定運行。